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  • 場效應(yīng)管陣列
  • IGBT - 單路
  • 外部開關(guān)MOSFET,電橋驅(qū)動器
  • 線性穩(wěn)壓器芯片
  • 固態(tài)繼電器
  • 單端場效應(yīng)管
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  • IR官網(wǎng)中文新聞頻道:2025年8月30日IR國際整流器公司重要資訊、突發(fā)新聞

    IR推出第二代 (Gen2) IRAM系統(tǒng)級封裝 (System-In-Package,簡稱SIP) 節(jié)能智能功率模塊 (Intelligent Power Module) 系列,可有效縮小和簡化家電的電機驅(qū)動應(yīng)用設(shè)計,包括空調(diào)、風(fēng)扇、

    IR推出汽車級COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403,適合需要極小占位面積和大電流性能的汽車應(yīng)用

    IR擴充60V StrongIRFET功率MOSFET系列,采用多種標(biāo)準和高性能功率封裝

    IR推出IRFHE4250D FastIRFET雙功率MOSFET,藉以擴充電源模塊組件系列。新款25V器件在25A的電流下能夠比其它頂級的傳統(tǒng)電源模塊產(chǎn)品減少5%以上的功率損耗

    IR推出高性能600V超高速溝道場截止絕緣閘雙極晶體管 (IGBT) IR66xx系列。堅固可靠的新系列器件提供極低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,旨在為焊接應(yīng)用做出優(yōu)化。

    自1979年推出首款HEXFET以來,國際整流器公司一直處于功率MOSFFET設(shè)計與創(chuàng)新的前沿......
    IR提供了一個廣泛的IGBT產(chǎn)品系列,電壓范圍300V至1200V,采用可以將開關(guān)和導(dǎo)通損耗最小化的多種技術(shù)來提高效率、減少散熱......
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