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產(chǎn)品參考圖片

IRLHS6342TR2PBF

制造廠商：IR（國際整流器公司）

類別封裝：單端場效應(yīng)管，6-PQFN

技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN

（專注銷售IR電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當天發(fā)貨�。�

（您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購）

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技術(shù)參數(shù)詳情：

制造商產(chǎn)品型號：IRLHS6342TR2PBF

制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購

描述：MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN

系列：HEXFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：8.7A（Ta），19A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：15.5 毫歐 @ 8.5A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 10μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：11nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1019pF @ 25V

功率 - 最大值：2.1W

安裝類型：表面貼裝

產(chǎn)品封裝：6-PowerVDFN

供應(yīng)商器件封裝：6-PQFN（2x2）

現(xiàn)在可以訂購IRLHS6342TR2PBF，國內(nèi)庫存當天發(fā)貨，國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。

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