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IRFH5302TR2PBF
制造廠商:IR(國際整流器公司)
類別封裝:單端場效應(yīng)管,PQFN
技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN
(專注銷售IR電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨。
(您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購)
技術(shù)參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:IRFH5302TR2PBF制造廠家名稱:IR(International Rectifier)已被英飛凌INFINEON收購描述:MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN系列:HEXFETFET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):32A(Ta),100A(Tc)不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):2.1 毫歐 @ 50A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 100μA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):76nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):4400pF @ 15V功率 - 最大值:3.6W安裝類型:表面貼裝產(chǎn)品封裝:8-PowerVDFN供應(yīng)商器件封裝:PQFN(5x6)單芯片焊盤現(xiàn)在可以訂購IRFH5302TR2PBF,國內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
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