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產品參考圖片
IRFH5220TRPBF 圖片
IRFH5220TRPBF
  • 制造廠商：IR（國際整流器公司）
  • 類別封裝：單端場效應管，PQFN
  • 技術參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
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    技術參數(shù)詳情：
  • 制造商產品型號：IRFH5220TRPBF
  • 制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購
  • 描述：MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
  • 系列：HEXFET
  • FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：標準
  • 漏源極電壓 (Vdss)：200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：3.8A（Ta），20A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：99.9 毫歐 @ 5.8A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 100μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：30nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1380pF @ 50V
  • 功率 - 最大值：3.6W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 產品封裝：8-VQFN 裸露焊盤
  • 供應商器件封裝：PQFN（5x6）
  • 現(xiàn)在可以訂購IRFH5220TRPBF，國內庫存當天發(fā)貨，國外庫存7-10天內發(fā)貨。
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