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產品參考圖片
IRF7379 圖片
IRF7379
  • 制造廠商:IR(國際整流器公司)
  • 類別封裝:場效應管陣列,8-SO
  • 技術參數:MOSFET N+P 30V 4.3A 8-SOIC
  • (專注銷售IR電子元器件,承諾原裝!現貨當天發(fā)貨。
  • (您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯系詢價及采購)
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    技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:IRF7379
  • 制造廠家名稱:IR(International Rectifier)已被英飛凌INFINEON收購
  • 描述:MOSFET N+P 30V 4.3A 8-SOIC
  • 系列:HEXFET
  • FET 類型:N 和 P 溝道
  • FET 功能:標準
  • 漏源極電壓 (Vdss):30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):5.8A,4.3A
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):45 毫歐 @ 5.8A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):25nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):520pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:2.5W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 產品封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應商器件封裝:8-SO
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