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IRF640NSTRLPBF
制造廠商:IR(國際整流器公司)
類別封裝:單端場效應(yīng)管,D2PAK
技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
(專注銷售IR電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨!)
(您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購)
技術(shù)參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:IRF640NSTRLPBF制造廠家名稱:IR(International Rectifier)已被英飛凌INFINEON收購描述:MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK系列:HEXFETFET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:標準漏源極電壓 (Vdss):200V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):18A(Tc)不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):150 毫歐 @ 11A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):67nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1160pF @ 25V功率 - 最大值:150W安裝類型:表面貼裝產(chǎn)品封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB供應(yīng)商器件封裝:D2PAK現(xiàn)在可以訂購IRF640NSTRLPBF,國內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
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