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IR代理商 > > IR芯片 > > IRF200B211
產(chǎn)品參考圖片
IRF200B211 圖片
IRF200B211
  • 制造廠商:IR(國(guó)際整流器公司)
  • 類別封裝:FET - 單,TO-220-3
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB
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    技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào): IRF200B211
  • 制造廠家名稱: International Rectifier(已被英飛凌收購(gòu))
  • 功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB
  • 系列: HEXFET,StrongIRFET
  • FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss): 200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 12A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值): 170 毫歐 @ 7.2A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 4.9V @ 50μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 23nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 790pF @ 50V
  • 功率 - 最大值: 80W
  • 安裝類型: 通孔
  • 產(chǎn)品封裝: TO-220-3
  • 供應(yīng)商器件封裝: TO-220AB
  • 現(xiàn)在可以訂購(gòu)IRF200B211,國(guó)內(nèi)庫(kù)存當(dāng)天發(fā)貨,國(guó)外庫(kù)存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
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