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產(chǎn)品參考圖片

IRF1018ESLPBF

制造廠商：IR（國際整流器公司）

類別封裝：單端場(chǎng)效應(yīng)管，TO-262

技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 79A TO-262

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技術(shù)參數(shù)詳情：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：IRF1018ESLPBF

制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購

描述：MOSFET N-CH 60V 79A TO-262

系列：HEXFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：79A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：8.4 毫歐 @ 47A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 100μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：69nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：2290pF @ 50V

功率 - 最大值：110W

安裝類型：通孔

產(chǎn)品封裝：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA

供應(yīng)商器件封裝：TO-262

現(xiàn)在可以訂購IRF1018ESLPBF，國內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨，國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。

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